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Dispersão de fônons na vizinhança do ponto de Dirac do grafeno por espalhamento Raman

by Mafra, Daniela Lopes

Abstract (Summary)
A relação de dispersão de fônons é uma das propriedades físicas mais fundamentais de um sólido. Nesse trabalho, a Espectroscopia Raman com dupla Ressonância foi usada para determinar a dispersão dos ramos de fônons longitudinal acústico (LA) e transversal óptico no plano (iTO) próxima ao ponto de Dirac (ponto K da zona de Brillouin) de uma mostra de grafeno através da análise da dispersão de duas bandas de segunda ordem originadas de um processo inter-vale: a banda G - e a banda G*. A banda G*, em aproximadamente 2700cm-1, envolve dois fônons do ramo iTO com vetor de onda q » 2k, onde q e k são os vetores de onda do fônon e do elétron, respectivamente, medidos a partir do ponto K. Já a banda G*, em aproximadamente 2450 cm-1, também vem de dois fônons com q » 2k, porém um do ramo iTO e outro do LA. Portanto, a freqüência dos fônons LA e iTO podem ser obtidas a partir da medida da freqüência dessas duas bandas. Os resultados experimentais foram comparados com os resultados obtidos para grafite turbostrático e também com diferentes relações de dispersão de fônons calculadas teoricamente. Além disso, também é mostrado que as velocidades dos fônons envolvidos nesse processo Raman com dupla ressonância são dadas por LA=7.70 x 10-3 F  e TO=5.47 x 10-3 F, onde F é a velocidade de Fermi dos elétrons na proximidade do ponto de Dirac.
Bibliographical Information:

Advisor:Marcos Assuncao Pimenta; Flavio Orlando Plentz Filho; Marcelo Paleologo Elefteriadis de Franca Santos

School:Universidade Federal de Minas Gerais

School Location:Brazil

Source Type:Master's Thesis

Keywords:Estrutura cristalina Espalhamento (Física) Espectroscopia de Raman Teses ressonância

ISBN:

Date of Publication:08/20/2008

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