Nanoestruturas de siliceto de ferro crescidas sobre Si(111) utilizando epitaxia por deposição reativa

by Duarte Carvalho, Marcos Aurelio

Recentemente a fase semicondutora -FeSi2 tem recebido considerável atenção pelo fato de apresentar, quando tensionada, gap direto de aproximadamente 0,87 eV, emitindo luz eficientemente num comprimento de onda de 1,5 µm[1-6]. Estruturas tensionadas de -FeSi2, por sua vez, podem ser obtidas a partir da fabricação de nanoestruturas auto-construídas sobre substratos de silício [7-9]. Neste trabalho são apresentados os resultados do crescimento de nanoestruturas de siliceto de ferro sobre substratos de Si (111) pela técnica de Epitaxia por Deposição Reativa. Esse estudo aborda a influência da quantidade de ferro depositada sobre esses substratos e do tempo de recozimento das amostras sobre as propriedades das nanoestruturas. Utilizaram-se as técnicas de caracterização de Microscopia de Força Atômica e de difração de Raios-X nas análises morfológicas e estruturais das amostras.