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Filmes finos de compostos semicondutores: preparação de CdS e da junção Cu2-XSe/MEH-PPV

by Rabelo, Adriano César

Abstract (Summary)
No presente trabalho prepararam-se compostos semicondutores na forma de filmesfinos. Ênfase foi dada ao sulfeto de cádmio visando seu uso sobre seleneto decobre. Filmes finos de seleneto de cobre se dissolvem quando mergulhados nasolução de preparação de filmes finos de sulfeto de cádmio. Este inconveniente foicontornado mediante o uso de agentes complexantes mais suaves. Foi possívelpreparar sulfeto de cádmio em meio de acetato de sódio, tiouréia e hidróxido desódio. A composição foi determinada numericamente a partir das constantes deequilíbrio das espécies presentes no meio reacional (cerca de dez espécies), pelobalanço de massa e pelo balanço de carga. Foi preparado um filme de sulfeto decádmio nas condições experimentais encontrada sobre vidro. O espectro deabsorção do filme foi medido na região do visível e comparado com o espectroobtido por outros autores. O band gap do filme foi estimado a partir dos espectrosde absorção. Preparou-se e caracterizou-se a junção entre seleneto de cobre e poli-2-metóxi-5-(2?-etilhexiloxi)-fenilenovinileno como semicondutor. O seleneto decobre foi preparado sobre cobre por reação com selenossulfato de sódio. O filmedo material polimérico foi preparado sobre o seleneto de cobre por evaporação deuma solução do polímero em tetrahidrofurano. Os contato elétrico foi estabelecidono substrato de cobre e no filme polimérico com cola de grafite. A cola de grafitefoi desenvolvida para esta finalidade e constitui-se na dissolução de resinacomercial epóxi e polimercaptana em tetrahidrofurano misturados com grafite empó. As características elétricas da junção entre os dois semicondutores foramdeterminadas a partir de curvas corrente potencial. Com uso do modelo de Fowler-Nordheim , calculou-se o valor da barreira de energia entre banda de valência doseleneto de cobre e a banda de condução do polímero. O valor obtido foicomparado com o obtido por outros autores em dispositivos similares (ITO/MEHPPV)e foi cerca de trinta vezes menor. Concluiu-se que o seleneto de cobre é ummaterial com características.
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Bibliographical Information:

Advisor:Alexandre Marletta; Otavio Luiz Bottecchia; Leonardo Morais da Silva

School:Universidade Federal de Uberlândia

School Location:Brazil

Source Type:Master's Thesis

Keywords:Filmes finos

ISBN:

Date of Publication:07/31/2008

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